PMN-PT-Substrat
Beschreibung
Der PMN-PT-Kristall ist für seinen extrem hohen elektromechanischen Kopplungskoeffizienten, hohen piezoelektrischen Koeffizienten, seine hohe Dehnung und seinen geringen dielektrischen Verlust bekannt.
Eigenschaften
| Chemische Zusammensetzung | ( PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x |
| Struktur | R3m, rhomboedrisch |
| Gitter | a0 ~ 4,024 Å |
| Schmelzpunkt (℃) | 1280 |
| Dichte (g/cm3) | 8.1 |
| Piezoelektrischer Koeffizient d33 | >2000 pC/N |
| Dielektrischer Verlust | tand<0,9 |
| Komposition | nahe der morphotropen Phasengrenze |
PMN-PT-Substratdefinition
Unter PMN-PT-Substrat versteht man einen dünnen Film oder Wafer aus dem piezoelektrischen Material PMN-PT.Es dient als tragende Basis oder Grundlage für verschiedene elektronische oder optoelektronische Geräte.
Im Zusammenhang mit PMN-PT ist ein Substrat typischerweise eine flache, starre Oberfläche, auf der dünne Schichten oder Strukturen aufgewachsen oder abgeschieden werden können.PMN-PT-Substrate werden häufig zur Herstellung von Geräten wie piezoelektrischen Sensoren, Aktoren, Wandlern und Energieernten verwendet.
Diese Substrate bieten eine stabile Plattform für das Wachstum oder die Abscheidung zusätzlicher Schichten oder Strukturen und ermöglichen die Integration der piezoelektrischen Eigenschaften von PMN-PT in Geräte.Durch die Dünnschicht- oder Waferform von PMN-PT-Substraten können kompakte und effiziente Geräte entstehen, die von den hervorragenden piezoelektrischen Eigenschaften des Materials profitieren.
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Unter hoher Gitteranpassung versteht man die Ausrichtung oder Anpassung von Gitterstrukturen zwischen zwei verschiedenen Materialien.Im Zusammenhang mit MCT-Halbleitern (Quecksilber-Cadmium-Tellurid) ist eine hohe Gitteranpassung wünschenswert, da sie das Wachstum qualitativ hochwertiger, defektfreier Epitaxieschichten ermöglicht.
MCT ist ein Verbindungshalbleitermaterial, das häufig in Infrarotdetektoren und Bildgebungsgeräten verwendet wird.Um die Geräteleistung zu maximieren, ist es wichtig, epitaktische MCT-Schichten zu züchten, die der Gitterstruktur des darunter liegenden Substratmaterials (typischerweise CdZnTe oder GaAs) genau entsprechen.
Durch die Erzielung einer hohen Gitteranpassung wird die Kristallausrichtung zwischen den Schichten verbessert und Defekte und Spannungen an der Grenzfläche werden reduziert.Dies führt zu einer besseren Kristallqualität, verbesserten elektrischen und optischen Eigenschaften und einer verbesserten Geräteleistung.
Eine hohe Gitteranpassung ist wichtig für Anwendungen wie Infrarot-Bildgebung und -Sensorik, bei denen selbst kleine Defekte oder Unvollkommenheiten die Geräteleistung beeinträchtigen und Faktoren wie Empfindlichkeit, räumliche Auflösung und Signal-Rausch-Verhältnis beeinflussen können.
