SiC-Substrat
Beschreibung
Siliziumkarbid (SiC) ist eine binäre Verbindung der Gruppe IV-IV, es ist die einzige stabile feste Verbindung in der Gruppe IV des Periodensystems und ein wichtiger Halbleiter.SiC verfügt über ausgezeichnete thermische, mechanische, chemische und elektrische Eigenschaften, die es zu einem der besten Materialien für die Herstellung elektronischer Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte machen. SiC kann auch als Substratmaterial verwendet werden für GaN-basierte blaue Leuchtdioden.Derzeit ist 4H-SiC das Hauptprodukt auf dem Markt, und der Leitfähigkeitstyp ist in halbisolierenden Typ und N-Typ unterteilt.
Eigenschaften
| Artikel | 2 Zoll 4H N-Typ | ||
| Durchmesser | 2 Zoll (50,8 mm) | ||
| Dicke | 350+/-25um | ||
| Orientierung | von der Achse 4,0˚ in Richtung <1120> ± 0,5˚ | ||
| Primäre flache Ausrichtung | <1-100> ± 5° | ||
| Zweitwohnung Orientierung | 90,0˚ CW von der Primärebene ± 5,0˚, Si-Seite nach oben | ||
| Primäre flache Länge | 16 ± 2,0 | ||
| Sekundäre flache Länge | 8 ± 2,0 | ||
| Grad | Produktionsstufe (P) | Forschungsnote (R) | Dummy-Note (D) |
| Widerstand | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Mikrorohrdichte | ≤ 1 Mikrorohre/cm² | ≤ 10 Mikrorohre/cm² | ≤ 30 Mikrorohre/cm² |
| Oberflächenrauheit | Si-Fläche CMP Ra <0,5 nm, C-Fläche Ra <1 nm | N/A, Nutzfläche > 75 % | |
| TTV | < 8 um | < 10 um | < 15 um |
| Bogen | < ±8 um | < ±10 um | < ±15 um |
| Kette | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| Risse | Keiner | Gesamtlänge ≤ 3 mm | Gesamtlänge ≤10mm, |
| Kratzer | ≤ 3 Kratzer, kumulativ | ≤ 5 Kratzer, kumulativ | ≤ 10 Kratzer, kumulativ |
| Sechskantplatten | maximal 6 Teller, | maximal 12 Teller, | N/A, Nutzfläche > 75 % |
| Polytype-Bereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 5 % | Kumulierte Fläche ≤ 10 % |
| Kontamination | Keiner | ||
