LiAlO2-Substrat

Das LiAlO2-Substrat bezieht sich auf ein Substrat aus Lithiumaluminiumoxid (LiAlO2).LiAlO2 ist eine kristalline Verbindung der Raumgruppe R3m und hat eine dreieckige Kristallstruktur.

LiAlO2-Substrate wurden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter Dünnfilmwachstum, Epitaxieschichten und Heterostrukturen für elektronische, optoelektronische und photonische Geräte.Aufgrund seiner hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften eignet es sich besonders für die Entwicklung von Halbleiterbauelementen mit großer Bandlücke.

Eine der Hauptanwendungen von LiAlO2-Substraten liegt im Bereich von Galliumnitrid (GaN)-basierten Geräten wie High Electron Mobility Transistors (HEMTs) und Light Emitting Diodes (LEDs).Die Gitterfehlanpassung zwischen LiAlO2 und GaN ist relativ gering, was es zu einem geeigneten Substrat für das epitaktische Wachstum von GaN-Dünnfilmen macht.Das LiAlO2-Substrat bietet eine hochwertige Vorlage für die GaN-Abscheidung, was zu einer verbesserten Geräteleistung und -zuverlässigkeit führt.

LiAlO2-Substrate werden auch in anderen Bereichen eingesetzt, beispielsweise bei der Entwicklung ferroelektrischer Materialien für Speichergeräte, der Entwicklung piezoelektrischer Geräte und der Herstellung von Festkörperbatterien.Ihre einzigartigen Eigenschaften wie hohe Wärmeleitfähigkeit, gute mechanische Stabilität und niedrige Dielektrizitätskonstante verschaffen ihnen bei diesen Anwendungen Vorteile.

Zusammenfassend bezeichnet LiAlO2-Substrat ein Substrat aus Lithiumaluminiumoxid.LiAlO2-Substrate werden in verschiedenen Anwendungen verwendet, insbesondere für das Wachstum von GaN-basierten Geräten und der Entwicklung anderer elektronischer, optoelektronischer und photonischer Geräte.Sie verfügen über wünschenswerte physikalische und chemische Eigenschaften, die sie für die Abscheidung dünner Filme und Heterostrukturen geeignet machen und die Geräteleistung verbessern.