Ge-Substrat
Beschreibung
Ge-Einkristall ist ein ausgezeichneter Halbleiter für die Infrarot- und IC-Industrie.
Eigenschaften
| Wachstumsmethode | Czochralski-Methode | ||
| Kristallstruktur | M3 | ||
| Einheitszellenkonstante | a=5,65754 Å | ||
| Dichte (g/cm).3） | 5.323 | ||
| Schmelzpunkt (℃) | 937,4 | ||
| Dotiertes Material | Nicht gedopt | Sb-dotiert | In / Ga –dotiert |
| Typ | / | N | P |
| Widerstand | >35Ωcm | 0,05 Ωcm | 0,05 ~ 0,1 Ωcm |
| EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
| Größe | 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, | ||
| Durchmesser 2 Zoll x 0,33 mm Durchmesser 2 Zoll x 0,43 mm 15 x 15 mm | |||
| Dicke | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
| Polieren | Einzel oder Doppel | ||
| Kristallorientierung | <100>、<110>、<111>、±0,5º | ||
| Ra | ≤5Å（5µm×5µm） | ||
Die Ge-Substratdefinition
Das Ge-Substrat bezieht sich auf ein Substrat, das aus dem Element Germanium (Ge) besteht.Germanium ist ein Halbleitermaterial mit einzigartigen elektronischen Eigenschaften, die es für eine Vielzahl elektronischer und optoelektronischer Anwendungen geeignet machen.
Ge-Substrate werden häufig bei der Herstellung elektronischer Geräte verwendet, insbesondere im Bereich der Halbleitertechnologie.Sie werden als Basismaterialien für die Abscheidung dünner Filme und epitaktischer Schichten anderer Halbleiter wie Silizium (Si) verwendet.Ge-Substrate können zum Aufwachsen von Heterostrukturen und Verbindungshalbleiterschichten mit spezifischen Eigenschaften für Anwendungen wie Hochgeschwindigkeitstransistoren, Fotodetektoren und Solarzellen verwendet werden.
Germanium wird auch in der Photonik und Optoelektronik verwendet, wo es als Substrat für die Entwicklung von Infrarotdetektoren (IR) und Linsen verwendet werden kann.Ge-Substrate verfügen über die für Infrarotanwendungen erforderlichen Eigenschaften, wie z. B. einen breiten Transmissionsbereich im mittleren Infrarotbereich und hervorragende mechanische Eigenschaften bei niedrigen Temperaturen.
Ge-Substrate haben eine eng an Silizium angepasste Gitterstruktur, wodurch sie für die Integration in Si-basierte Elektronik kompatibel sind.Diese Kompatibilität ermöglicht die Herstellung hybrider Strukturen und die Entwicklung fortschrittlicher elektronischer und photonischer Geräte.
Zusammenfassend bezeichnet ein Ge-Substrat ein Substrat aus Germanium, einem Halbleitermaterial, das in elektronischen und optoelektronischen Anwendungen verwendet wird.Es dient als Plattform für das Wachstum anderer Halbleitermaterialien und ermöglicht die Herstellung verschiedener Geräte in den Bereichen Elektronik, Optoelektronik und Photonik.
