GAGG:Ce-Szintillator, GAGG-Kristall, GAGG-Szintillationskristall
Vorteil
● Gute Bremskraft
● Hohe Helligkeit
● Geringes Nachleuchten
● Schnelle Abklingzeit
Anwendung
● Gammakamera
● PET, PEM, SPECT, CT
● Röntgen- und Gammastrahlenerkennung
● Hochenergie-Containerinspektion
Eigenschaften
Typ | GAGG-HL | GAGG-Balance | GAGG-FD |
Kristallsystem | Kubisch | Kubisch | Kubisch |
Dichte (g/cm).3) | 6.6 | 6.6 | 6.6 |
Lichtausbeute (Photonen/Kev) | 60 | 50 | 30 |
Abklingzeit (ns) | ≤150 | ≤90 | ≤48 |
Mittenwellenlänge (nm) | 530 | 530 | 530 |
Schmelzpunkt (℃) | 2105℃ | 2105℃ | 2105℃ |
Atomkoeffizient | 54 | 54 | 54 |
Energieauflösung | <5 % | <6 % | <7 % |
Selbststrahlung | No | No | No |
Hygroskopisch | No | No | No |
Produktbeschreibung
GAGG:Ce (Gd3Al2Ga3O12) Gadolinium-Aluminium-Gallium-Granat, dotiert mit Cer.Es handelt sich um einen neuen Szintillator für die Einzelphotonen-Emissions-Computertomographie (SPECT), die Gammastrahlen- und Compton-Elektronendetektion.Mit Cer dotiertes GAGG:Ce verfügt über viele Eigenschaften, die es für Gammaspektroskopie und medizinische Bildgebungsanwendungen geeignet machen.Aufgrund der hohen Photonenausbeute und des Emissionspeaks um 530 nm eignet sich das Material gut für die Auslesung durch Silizium-Photomultiplier-Detektoren.Epic Crystal hat drei Arten von GAGG:Ce-Kristallen entwickelt, mit Kristallen mit schnellerer Abklingzeit (GAGG-FD), typischen Kristallen (GAGG-Balance) und Kristallen mit höherer Lichtausbeute (GAGG-HL) für Kunden in verschiedenen Bereichen.GAGG:Ce ist ein vielversprechender Szintillator im Hochenergie-Industriebereich. Er wurde in einem Lebensdauertest bei 115 kV, 3 mA und einer Strahlungsquelle in einem Abstand von 150 mm vom Kristall charakterisiert. Nach 20 Stunden ist die Leistung nahezu dieselbe wie die des frischen Szintillators eins.Dies bedeutet, dass es gute Aussichten hat, einer hohen Dosis unter Röntgenbestrahlung standzuhalten. Dies hängt natürlich von den Bestrahlungsbedingungen ab und im Falle einer weiteren Verwendung von GAGG für NDT müssen weitere genaue Tests durchgeführt werden.Neben dem einzelnen GAGG:Ce-Kristall sind wir in der Lage, ihn in lineare und zweidimensionale Arrays zu verarbeiten, wobei die Pixelgröße und der Separator je nach Anforderung erreicht werden können.Wir haben auch die Technologie für die Keramik GAGG:Ce entwickelt, sie hat eine bessere Koinzidenzauflösungszeit (CRT), eine schnellere Abklingzeit und eine höhere Lichtausbeute.
Energieauflösung: GAGG Dia2"x2", 8,2 % Cs137@662Kev
Afterglow-Performance
Lichtausbeute
Timing-Auflösung: Gagg Fast Decay Time
(a) Zeitauflösung: CRT=193ps (FWHM, Energiefenster: [440keV 550keV])
(a) Zeitliche Auflösung vs.Vorspannung: (Energiefenster: [440keV 550keV])
Bitte beachten Sie, dass die Spitzenemission von GAGG 520 nm beträgt, während die SiPM-Sensoren für Kristalle mit einer Spitzenemission von 420 nm ausgelegt sind.Der PDE für 520 nm ist im Vergleich zum PDE für 420 nm um 30 % niedriger.Die CRT von GAGG könnte von 193 ps (FWHM) auf 161,5 ps (FWHM) verbessert werden, wenn die PDE der SiPM-Sensoren für 520 nm mit der PDE für 420 nm übereinstimmen würde.